1.สารกึ่งตัวนำชนิดP(P-Type Semiconductor)...เป็นสารกึ่งตัวนำที่เกิดจากการจับตัวของอะตอมซิลิกอนกับอะตอมของอะลูมิเนียม ทำให้เกิดที่ว่างซึ่งเรียกว่า โฮล (Hole) ขึ้นในแขนร่วมของอิเล็กตรอน อิเล็กตรอนข้างโฮลจะเคลื่อนที่ไปอยู่ในโฮลทำให้ดูคล้ายกับโฮลเคลื่อนที่ได้จึงทำให้กระแสไหลได้
2.สารกึ่งตัวนำชนิดN(N-Type Semiconductor)...เป็นสารกึ่งตัวนำที่เกิดจากการจับตัวของอะตอมซิลิกอนกับอะตอมของสารหนู ทำให้มีอิเล็กตรอนเกินขึ้นมา 1 ตัว เรียกว่าอิเล็กตรอนอิสระซึ่งสามารถเคลื่อนที่ได้อย่างอิสระในก้อนผลึกนั้นจึงยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลได้เช่นเดียวกับตัวนำทั่วไป
3.ไดโอด(Diode)...เป็นการนำสารกึ่งตัวนำชนิดพีและสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น มาทำการต่อให้ติดกันตามหลักของวิชาฟิสิกส์ของแข็ง โดยไดโอดจะมีความต้านทานต่ำมาก และยอมให้กระแสไหลผ่านได้ เมื่อต่อให้ศักย์ไฟฟ้าที่ปลายพีสูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ปลายเอ็น (ต่อปลายพีเข้ากับขั้วบวกและต่อปลายเอ็นเข้ากับขั้วลบ) หรือที่เรียกว่า ไบแอสตรง นั่นเอง แต่ถ้าเราต่อให้ที่ปลายพีมีศักย์ไฟฟ้าต่ำกว่าปลายเอ็น (ไบแอสกลับ) ไดโอดจะมีความต้านทานสูงมาก และไม่ยอมให้กระแสไหลผ่าน
4.ดีพลีชันริจิน(Depletion Region)...การต่อชนสารกึ่งตัวนำทั้ง 3 ตอน ของทรานซิสเตอร์ ทำให้ระหว่างรอยต่อ PN แต่ละตอนเกิดค่าแบตเตอรี่สมมติหรือดีพลีชันริจิน ค่าดังกล่าวก็คือค่าความต้านทานตรงรอยต่อ ดีพลีชันริจินสามารถเปลี่ยนแปลงค่าได้ ตามการจ่ายแรงดันไบอัสให้รอยต่อส่วนที่ถูกจ่ายไบอัสตรงค่าดีพลีชันริจินจะลดลง และรอยต่อส่วนที่ถูกจ่ายไบอัสกลับค่าดีพลีชันริจินจะเพิ่มขึ้น
5.แอโนด(Anode)...ถ้าขั้วนั้นเกิดปฏิกิริยาออกซิเดชั่น(จ่ายอิเล็คตรอน เช่น Zn -----> Zn2+ + 2e-)
6.แคโทด(Cathode)...ถ้าเกิดปฏิกิริยารีดักชั่น(รับอิเล็คตรอน เช่น Cu2+ + 2e- -----> Cu)
7.ไบอัสตรง(Forward Bias)...ให้ขา E เทียบกับขา B คือแงดันไบอัสที่ขาทั้งสองได้รับต้องไบอัสตรงทั้งคู่
8.ไบอัสกลับ(Reverse Bias)...ให้ขา C อาจเทียบกับขา B หรือเทียบกับขา E ก็ได้ ซึ่งจะขึ้นอยู่กับการจัดวงจรขาร่วม ( Common Circuit ) ที่จัดวงจรให้ทรานซิสเตอร์ทำงาน
9.ซีนเนอร์ไดโอด(Zener Diode)...เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่นำกระแสได้เมื่อได้รับไบอัสกลับ และระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งานได้เรียกว่า ระดับแรงดันพังทลายซีเนอร์ (Zener Breakdown Voltage ; Vz) ซีเนอร์ไดโอดจะมีแรงดันไบอัสกลับ (Vr)น้อยกว่า Vz เล็กน้อย ไดโอดประเภทนี้เหมาะที่จะนำไปใช้ควบคุมแรงดันที่โหลดหรือวงจรที่ต้องการแรงดันคงที่ เช่น ประกอบอยู่ในแหล่งจ่ายไฟเลี้ยง หรือโวลเทจเรกูเลเตอร์
10.ซีนเนอร์เบรกดาวน์(Zener Breakdown)...ระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งาน
11.แรงดันซีเนอร์ เบรกดาวน์(Zener Breakdown Voltage)...ระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งานได้
12.ไดโอดเปล่งแสง(Light Emitting Diode)...LED เป็นไดโอดที่ใช้สารประเภทแกลเลี่ยมอาร์เซ็นไนต์ฟอสไฟต์ (Gallium Arsenide Phosphide ; GaAsP) หรือสารแกลเลี่ยมฟอสไฟต์ (Gallium Phosphide ; GaP) มาทำเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด p และ n แทนสาร Si และ Ge สารเหล่านี้มีคุณลักษณะพิเศษ คือ สามารถเรืองแสงได้เมื่อได้รับไบอัสตรง การเกิดแสงที่ตัว LED นี้เราเรียกว่า อิเล็กโทรลูมินิเซนต์ (Electroluminescence) ปัจจุบันนิยมใช้ LED แสดงผลในเครื่องมืออิเล็กทรอนิกส์ เช่น เครื่องคิดเลข,นาฬิกา เป็นต้น
13.แสงอินฟาเรด(Infrared Light)...
14.แสงที่ตาคนมองเห็น(Visible Light)... เป็นเพียงส่วนหนึ่งของคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า ในช่วงซึ่งประสาทตาของมนุษย์สามารถสัมผัสได้ ซึ่งมีความยาวคลื่นอยู่ระหว่าง 400 – 700 นาโนเมตร (1 เมตร = 1,000,000,000 นาโนเมตร) หากนำแท่งแก้วปริซึม (Prism) มาหักเหแสงอาทิตย์ เราจะเห็นว่าแสงสีขาวถูกหักเหออกเป็นสีม่วง คราม น้ำเงิน เขียว เหลือง แสด แดง คล้ายกับสีของรุ้งกินน้ำ เรียกว่า “สเปคตรัม” (Spectrum) แสงแต่ละสีมีความยาวคลื่นแตกต่างกัน สีม่วงมีความยาวคลื่นน้อยที่สุด สีแดงมีความยาวคลื่นมากที่สุด
15.แสงที่ตาคนมองไม่เห็น(Invisible Light)...เพราะเป็นแสงที่อยู่ในย่านแสงอินฟาเรด ซึ่งขณะเปล่งแสงออกมาตาคนจะมองไม่เห็น ไดโอดเปล่งแวงชนิดนี้เรียกว่า อินฟาเรดอิมิตติ้งไดโอด
16.ทรานซิสเตอร์(Transistor)...คือ สิ่งประดิษฐ์ทำจากสารกึ่งตัวนำมีสามขา (TRREE LEADS) กระแสหรือแรงเคลื่อน เพียงเล็กน้อยที่ขาหนึ่งจะควบคุมกระแสที่มีปริมาณมากที่ไหลผ่านขาทั้งสอง ข้างได้ หมายความว่าทรานซิสเตอร์เป็นทั้งเครื่องขยาย (AMPLIFIER) และสวิทซ์ทรานซิสเตอร์
17.ฟิลเอฟเฟคทรานซิสเตอร์(Field Effect Transistor)...เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนําชนิดขั้วเดียว ( Unipolar ) มีลักษณะโครงสร้างและหลักการทํางานแตกต่างไปจากทรานซิสเตอร์เพราะทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนําชนิดสองขั้ว การทํางานของทรานซิสเตอร์ต้องอาศัยกระแสช่วยควบคุมการทํางาน ทั้งกระแสอิเล็กตรอนและกระแสโฮลเฟตเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนําอีกชนิดที่นิยมนํามาใช้งานในการขยายสัญญาณ และใช้งานในหน้าที่ต่าง ๆเช่นเดียวกับ ทรานซิสเตอร์นับวันเฟตยิ่งมีบทบาทเพิ่มมากขึ้นในการนําไปใช้งาน
18.ขั้วเดียว(Unipolar)...
19.สองขั้ว(Bipolar)...
20.จังชันเฟต(Junction FET)...หรือเรียกง่ายๆว่า เจเฟต แบ่งออกเป็น 2 ชนิดคือ ชนิดพีแชนแนล และชนิดเอ็นแชนแนล
21.ดีพลีชันมอสเฟต(Depletion MOSFET)...หรือ D-MOSFET แบ่งออกเป็น 2 ชนิดคือ ชนิดPแชนแนล และชนิด Nแชลแนล
22.เอนฮานซ์เมนต์มอสเฟต(Enhancement MOSFET)...หรือ E-MOSFET แบ่งเป็น 2 ชนิดคือ ชนิดPแชนแนล และชนิด Nแชลแนล
23.ซิลิคอนไดออกไซต์(Silicon Dioxide)...
24.คุณสมบัติ(Characteristics)...
25.แชนแนล(Channel)...
สมัครสมาชิก:
ส่งความคิดเห็น (Atom)
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น